半导体表面缺陷观察用飞纳场发射电镜

Phenom Pharos G2 是飞纳推出的台式场发射扫描电镜，可用于半导体表面缺陷观察，帮助分析器件表面、封装材料和微小缺陷形貌。

Phenom Pharos G2 采用肖特基热场发射电子枪，电子光学放大倍数可达 2,000,000 X，分辨率优于 1.5 nm，适合对高分辨形貌、精细结构和微纳尺度特征有要求的研发与检测场景。

该产品具备台式化设计、低/中/高三种真空模式、背散射探测器、二次电子探测器，并可根据需求选配能谱探测器。具体配置和价格根据样品类型、成像需求及功能配置确定，可通过平台询价/留言入口获取选型建议，并预约试样。

产品特点：

1. 肖特基热场发射电子枪，适合高分辨SEM成像。

2. 电子光学放大倍数可达 2,000,000 X。

3. 分辨率优于 1.5 nm，适合微纳结构观察。

4. 加速电压 1 kV - 20 kV 连续可调。

5. 支持低/中/高三种真空模式。

6. 标配背散射探测器和二次电子探测器，可选配能谱探测器。

7. 台式设计，适合科研、研发和检测实验室部署。

8. 支持选型咨询，可预约试样。

应用领域：

可用于半导体表面缺陷观察、封装材料分析、电子材料检测、失效分析和研发质控。

技术参数：

产品型号：Phenom Pharos G2

产品全称：Pharos 台式场发射电镜

产品类型：台式场发射扫描电镜

光学放大：27 - 160 X

电子光学放大：2,000,000 X

分辨率：优于 1.5 nm

电子枪：肖特基热场发射电子枪

光学导航相机：彩色

加速电压：1 kV - 20 kV 连续可调

真空模式：低 / 中 / 高三种模式

探测器：背散射探测器、二次电子探测器

可选探测器：能谱探测器

常见问题：

1. 这款设备适合哪些应用？适合纳米材料、半导体、碳材料、催化剂、陶瓷、锂电材料、光伏材料等高分辨形貌观察场景。

2. 是否可以做元素分析？设备可根据需求选配能谱探测器，用于颗粒、异物或局部区域的元素分析。

3. 价格是多少？价格根据配置、探测器选项和应用需求确定，可通过平台询价入口获取选型建议，并预约试样。

如需了解 Phenom Pharos G2 在半导体表面缺陷中的配置方案、应用资料或报价信息，可通过平台询价/留言入口提交样品类型与测试需求，获取选型建议，并预约试样。